Дата: 30.03.2015
Intel и Micron представили новую флеш-память 3D NAND

Компании Intel и Micron представили свою новую уникальную разработку. Компании сообщили о том, что создали совершенно новую флеш-память, которая работает по технологии 3D NAND. На данный момент это самая продвинутая система хранения данных, передает russianweek.ru.

Благодаря этой технологии удалось создать технологию, которая даст возможность хранить в прежнем объеме количество информации большее в три раза. Новая память получила более плотную систему размещения ячеек, которая была увеличена почти в три раза. Если ранее ячейки памяти размещались только в одной плоскости, то теперь ячейки памяти занимают весь полезный объем.

По словам официального представителя компании, «разработанные и сделанные на основе этой технологии чипы будут иметь размеры обычного SSD-накопителя, но с объемом памяти в 10 ТБ, также получится сделать флешку обычного размера с объемом памяти в 3,5 ТБ». Данная технология позволила оставить далеко позади конкурентов компаний – Toshiba и Samsung.

Источник: http://orensmi.ru


Перейти к полному списку Интересного



 Все права защищены © 2009 - 2017, SoftJoys.Про КонсалтингЕмелин В.Н. 

Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика